PHB18NQ10T,118 دیتاشیت

PHB18NQ10T,118

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB18NQ10T,118
حجم فایل 52.422 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHB18NQ10T,118-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHB18NQ10T,118
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: SOT-404
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه